K3KL2L20DM-JGCT vs K3KL7L70EM-MGCU Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL2L20DM-JGCT par Samsung Electronics et K3KL7L70EM-MGCU par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL2L20DM-JGCT | K3KL7L70EM-MGCU |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $20,80 | $12,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 48 Gb | 12 Gbit |
| Organisation de la mémoire | x64 | x32 |
| Débit de données | 7500 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate in Mbps/pin] |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 441-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Interface | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X |
| Product Status | Mass Production | Mass Production |
| Generation | LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5) | — |
| Application Segment | AI devices, automotive, mobile | — |
| Statut RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor |
| Supply Voltage (Core) | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage] |
| Refresh | — | Self-refresh supported (per LPDDR5X family) |
| Power Modes | — | Deep sleep, self refresh, power down (per LPDDR5X family) |
| Fab Location | — | Johor, Malaysia (listed by distributor) |