K3KL8L80CM-MGCT vs K3KL8L80QM-MUCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL8L80CM-MGCT par Samsung Electronics et K3KL8L80QM-MUCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL8L80CM-MGCT | K3KL8L80QM-MUCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $13,40 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32 Gbit (4 GB) | 32 Gb (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | x32 | [DATA_NEEDED: organization (xN bit width)] |
| Max Data Rate | 7500 Mbps | — |
| Clock Frequency | 3750 MHz | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 900 mV (500 mV low-power mode) | — |
| VDD2 Supply Voltage | 1.8 V | — |
| Boîtier | 315-ball FBGA | FBGA (original package, 315-ball class) |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) | LPDDR5X channel interface |
| Application Segment | Mobile, Automotive, On-device AI, PC | Mobile / AI edge computing |
| Power Efficiency | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Débit de données | — | [DATA_NEEDED: data rate per pin (Gbps)] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] |
| Speed Grade | — | QM (per Samsung part numbering) |
| Series | — | LPDDR5X |
| Marque | — | Samsung Semiconductor |
| Packaging Suffix | — | MUCT |