K3KL8L80DM-MGCU vs K3KLALA0DM-MGCU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K3KL8L80DM-MGCU par Samsung Electronics et K3KLALA0DM-MGCU par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU ✓ Actif
Samsung Electronics
K3KLALA0DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K3KL8L80DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8 Gbit 16 Gbit (2 GB) per die
Organisation de la mémoire 1G x 32 [DATA_NEEDED: die organization x16/x32]
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
Boîtier FBGA-315 315-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) LPDDR5X (LPDDR5X-class channel)
Débit de données [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh with per-bank refresh support —
Power Management Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) —
Configuration Single-die, 32-bit bus —
Statut RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment Mobile / Automotive / Edge AI —
Maximum Data Rate — 6400 Mbps per pin
Supply Voltage - Core (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 voltage]
Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Speed Grade Suffix — MGCU (6400 Mbps class)
Grade — Mobile / Low Power Mobile Grade
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch mm]
Place of Origin — Johor, Malaysia (per distributor listing)
DRAM Process — Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family)

Fiches techniques et ressources

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