K3KL8L80DM-MGCU vs K3KLALA0DM-MGCU Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K3KL8L80DM-MGCU por Samsung Electronics e K3KLALA0DM-MGCU por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU ✓ Ativo
Samsung Electronics
K3KLALA0DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K3KL8L80DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8 Gbit 16 Gbit (2 GB) per die
Organização da memória 1G x 32 [DATA_NEEDED: die organization x16/x32]
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
Encapsulamento FBGA-315 315-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) LPDDR5X (LPDDR5X-class channel)
Taxa de dados [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Self-refresh with per-bank refresh support —
Power Management Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) —
Configuration Single-die, 32-bit bus —
Status RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment Mobile / Automotive / Edge AI —
Maximum Data Rate — 6400 Mbps per pin
Supply Voltage - Core (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 voltage]
Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Speed Grade Suffix — MGCU (6400 Mbps class)
Grade — Mobile / Low Power Mobile Grade
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch mm]
Place of Origin — Johor, Malaysia (per distributor listing)
DRAM Process — Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family)

Fichas técnicas e recursos

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