K3KLELE0DM-BGCU vs K3KLALA0DM-MGCU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K3KLELE0DM-BGCU par Samsung Electronics et K3KLALA0DM-MGCU par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K3KLELE0DM-BGCU K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU ✗ Fin de vie
Samsung Electronics
K3KLALA0DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K3KLELE0DM-BGCU K3KLALA0DM-MGCU
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Fin de vie Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Density 144 Gb 16 Gbit (2 GB) per die
Type de mémoire LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Organisation de la mémoire x64 [DATA_NEEDED: die organization x16/x32]
Débit de données 8533 Mbps —
Supply Voltage (VDD1) 1.8 V —
Supply Voltage (VDD2) 1.05 V —
Supply Voltage (VDDQ) 0.9 V —
Supply Voltage (VDDCA) 0.5 V —
Boîtier 496-ball FBGA 315-ball FBGA
Température de fonctionnement -25 C to +85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Application Class AI and in-vehicle devices —
Product Status EOL —
Interface LPDDR5X LPDDR5X (LPDDR5X-class channel)
Power Efficiency vs Previous Generation Approx. 25% better (per Samsung) —
Speed vs Previous Generation Approx. 1.25x faster (per Samsung) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Maximum Data Rate — 6400 Mbps per pin
Supply Voltage - Core (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 voltage]
Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Speed Grade Suffix — MGCU (6400 Mbps class)
Grade — Mobile / Low Power Mobile Grade
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch mm]
Place of Origin — Johor, Malaysia (per distributor listing)
DRAM Process — Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family)

Fiches techniques et ressources

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