K3KLELE0DM-BGCU vs K3KLALA0DM-MGCU 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KLELE0DM-BGCU 제조: Samsung Electronics 및 K3KLALA0DM-MGCU 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KLELE0DM-BGCU | K3KLALA0DM-MGCU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| Density | 144 Gb | 16 Gbit (2 GB) per die |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| 메모리 구성 | x64 | [DATA_NEEDED: die organization x16/x32] |
| 데이터 속도 | 8533 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.9 V | — |
| Supply Voltage (VDDCA) | 0.5 V | — |
| 패키지 | 496-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| 동작 온도 | -25 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Class | AI and in-vehicle devices | — |
| Product Status | EOL | — |
| 인터페이스 | LPDDR5X | LPDDR5X (LPDDR5X-class channel) |
| Power Efficiency vs Previous Generation | Approx. 25% better (per Samsung) | — |
| Speed vs Previous Generation | Approx. 1.25x faster (per Samsung) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Data Rate | — | 6400 Mbps per pin |
| Supply Voltage - Core (VDD1) | — | [DATA_NEEDED: VDD1 voltage] |
| Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] |
| Speed Grade Suffix | — | MGCU (6400 Mbps class) |
| Grade | — | Mobile / Low Power Mobile Grade |
| Ball Pitch | — | [DATA_NEEDED: ball pitch mm] |
| Place of Origin | — | Johor, Malaysia (per distributor listing) |
| DRAM Process | — | Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family) |