K3LKBKB0BM-MGCP vs K3LKCKC0BM-MGCP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3LKBKB0BM-MGCP par Samsung Electronics et K3LKCKC0BM-MGCP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3LKBKB0BM-MGCP | K3LKCKC0BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $46,62 | $65,63 |
| Type de mémoire | DRAM (LPDDR5 SDRAM) | LPDDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 32 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 32 | 2G x32 |
| Débit de données | 6400 Mbps per pin | 6400 Mbps |
| Supply Voltage Rails | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Interface | LPDDR5 x32 | CMOS, LPDDR5 |
| Boîtier | FBGA-315 | FBGA-315 (PBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Technology Generation | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Density per Package | 4 GB (32 Gbit) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) | — |
| Application Segment | Mobile, embedded, industrial computing | — |
| Standby / Deep Sleep | LPDDR5 deep-sleep power states | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Access Time / Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Density | — | 64 Gbit (8 GB) |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDD2/other rails) | — | 1.8 V, 900 mV, 500 mV |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Product Family | — | Samsung LPDDR5 |
| Bandwidth (per Samsung LPDDR5 family) | — | 51.2 GB/s (family-level, 6400 Mbps pin speed) |
| Power Saving (family feature) | — | Up to 20% power saving vs previous generation (Samsung LPDDR5 family) |
| Unit Price | — | USD 57.7195 (LCSC, as of 2026-09-04) |