K4A4G085WD-BCTD vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCTD | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin | 2400 Mbps (PC2400) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-compatible) | DDR4 (JEDEC) |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |