K4A4G085WD vs K4A4G085WD-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD | K4A4G085WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | D-die |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 (PB) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade (example) | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC | — |
| Type d'interface | DDR4 (double data rate, source-synchronous) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| ODT | On-Die Termination (built-in) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (typical) | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (PB lead-free suffix) |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Interface | — | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) |