K4A4G165WD-BCPB vs K4A4G165WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WD-BCPB par Samsung Electronics et K4A4G165WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WD-BCPB | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $19,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2133 MT/s | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Die Generation | D-die | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | 16 banks / 4 bank groups |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] | — |
| Burst Length | 8 (BL8, fixed/chop) | — |
| Interface | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) | SSTL-12 |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C (commercial) |
| Pb-Free | Yes (per Samsung part-numbering suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |