K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WF-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G165WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,20 | $19,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Interface | SSTL-12 | SSTL-12 |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0C to +85C (commercial) |
| Caractéristiques | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Débit de données | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |