K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WF-BCWE par Samsung Electronics et K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $10,65 | $11,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel | Parallel, x16 |
| Die Generation | Samsung F-die | E-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |