K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WE-BCTD 比較
詳細な並列比較: K4A4G165WF-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A4G165WE-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $10.65 | $11.38 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| 電源電圧 | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| 動作温度 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| パッケージ | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 (TFBGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | Parallel | Parallel, x16 |
| Die Generation | Samsung F-die | E-die |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS ステータス | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |