K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WC-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCRC par Samsung Electronics et K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Dernier achat |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,30 | $50,85 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Boîtier | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0C to +95C |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Type d'interface | — | Synchronous, parallel |