K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics et K4A8G085WC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,29 | $24,90 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |