K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G085WC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,29 | $24,90 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latencia CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |