K4A8G165WC-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCWE par Samsung Electronics et K4A8G165WC-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $38,00 | $1,31 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| Interface | Differential (CK, /CK) | DDR4 (16-bit data bus) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |