K4AAG085WA-BCRC vs K4AAG085WM-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WA-BCRC par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WA-BCRC | K4AAG085WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,10 | $1,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | x8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | Parallel, DDR4 | SSTL12 |
| Boîtier | 78FBGA (78-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 78-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Data Width | 8 bit | — |
| Generation | DDR4 | — |
| Speed Grade Suffix | BCRC | — |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: maximum data rate (Mbps) for BCRC speed grade] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for BCRC speed grade] | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] |
| On-Die Termination | Yes (DDR4 ODT) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Family | K4AAG085WA (16Gb 2Gx8 DDR4 family) | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Max Data Rate | — | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) |
| Architecture | — | Bank-group DDR4 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Clock | — | Differential clock CK/CK# |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |