K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG085WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG085WA-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG085WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG085WA-BCWE | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,24 | $7,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Température de fonctionnement | 0 C to 85 C | 0C to +85C |
| Boîtier | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | JEDEC DDR4 | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | Memory IC / Storage Component |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |