K4AAG085WA-BCWE vs K4AAG085WM-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG085WA-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG085WM-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG085WA-BCWE | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,24 | $7,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to 85 C | 0C to +85C |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) | 78FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | JEDEC DDR4 | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Memory Width | 8-bit | — |
| Refresh | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) | — |
| Application Class | Main memory / embedded DRAM | Memory IC / Storage Component |
| Estado RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |