K4AAG165WA-BCWE vs K4AAG165WM-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WA-BCWE par Samsung Electronics et K4AAG165WM-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WA-BCWE | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $62,40 | $22,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb (2 GB) | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Package Dimensions | 13 x 9 mm | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| Type d'interface | Parallel, DDR4 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (Volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface | — | DDR4 (SSTL-12) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |