K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4AAG165WM-BCRC par Samsung Electronics et K4AAG165WM-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $22,60 | $54,65 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (SSTL-12) | Parallel (DDR4) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |