K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646D-BCK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $2,30 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps per pin |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tcase) | 0°C to 95°C (Tc) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Latence CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 11 (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8, 4 |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |