K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BFMA par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Tension d'alimentation | 1.5V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Latence CAS | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |