K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BYMA0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BYMA0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,32 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |