K4B4G1646E-BYMA vs K4B4G1646D-BYMA0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BYMA0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYMA | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,32 | $7,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Datenrate | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +85°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |