K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646F-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,80 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Débit de données | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (TC) | 0°C to +95°C (TC) |
| Interface | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Latence CAS | Programmable | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |