K4RAH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BIQK Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIQK K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIQK ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH086VB-BCQK K4RAH165VB-BIQK
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $41,02 $0,00
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organisation de la mémoire 2G x 8 1G x 16
Débit de données 4800 Mbps (DDR5-4800) 4800 Mbps (MT/s)
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Interface Parallel —
Boîtier FBGA-82 [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation]
Type de montage Surface Mount —
Température de fonctionnement 0C to 95C (commercial) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ECC On-die ECC —
Burst Length BL32 (DDR5 standard) —
Memory Format DRAM (volatile) —
DLL Mode DLL Enabled (datasheet timing basis) —
Product Status Active —
Packaging Tray —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
On-Die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
DLL Enabled Mode — Yes (spec mode per datasheet)
Marque — Samsung Semiconductor

Fiches techniques et ressources

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