K4RAH086VP-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VP-BCWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $9,92 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Débit de données | 5600 Mbps/pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM DDR5 | DDR5 |
| Memory Format | DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tray |
| Application Segment | Industrial | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Statut RoHS | unknown | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |