K4RAH086VP-BCWM vs K4RBH046VM-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH046VM-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH086VP-BCWM K4RBH046VM-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $11,35
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb 32 Gb
Memory Organization 2G x 8 2G x 4
Débit de données 5600 Mbps/pin 5600 Mbps
Tension d'alimentation 1.1 V 1.1 V
Interface Parallel —
Technology DRAM DDR5 DRAM
Memory Format DRAM Volatile
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Boîtier [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Application Segment Industrial —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0 C to 85 C
Statut du cycle de vie Active —
Statut RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Interface — Parallel
Product Status — Sample
Manufacturer — Samsung Electronics
Speed Grade — DDR5-5600
Access Time / CL — [DATA_NEEDED: CAS Latency]

Fiches techniques et ressources

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