K4RAH165VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BCQK | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $9,92 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Memory Interface | Parallel | Parallel |
| Débit de données | 4800 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | 106-ball FBGA | FBGA-106 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | Tray |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |