K4RAH165VB-BCWM vs K4RAH086VP-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH086VP-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BCWM | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,92 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 1G x 16 | 2G x 8 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | DRAM DDR5 |
| Boîtier | FBGA-106 | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | unknown |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | Tray |
| Débit de données | — | 5600 Mbps/pin |
| Interface | — | Parallel |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Application Segment | — | Industrial |
| Statut du cycle de vie | — | Active |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |