K4RAH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BIWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BIWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung
K4RAH165VB-BIWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BCWM | K4RAH165VB-BIWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,92 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | — |
| Boîtier | FBGA-106 | 106-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Débit de données | — | 5600 Mbps |
| On-Die ECC | — | Yes (per K4RAH165VB family datasheet) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| DLL | — | DLL enabled mode of operation (per datasheet) |
| Standard Packaging | — | 1000 units |