K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BIWM par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung
K4RAH165VB-BIWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BIWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $9,92 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 5600 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | 106-ball FBGA | FBGA-106 |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| On-Die ECC | Yes (per K4RAH165VB family datasheet) | — |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Reset Function | Asynchronous reset | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| DLL | DLL enabled mode of operation (per datasheet) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Packaging | 1000 units | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |