K4RAH165VB-BIWM vs K4RAH165VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH165VB-BIWM por Samsung Electronics e K4RAH165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH165VB-BIWM ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH165VB-BIWM K4RAH165VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $9,92
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM (volatile DRAM)
Density 16 Gb —
Organização da memória 1G x 16 —
Taxa de dados 5600 Mbps —
Tensão de alimentação 1.1 V 1.1 V
Encapsulamento 106-ball FBGA FBGA-106
Temperatura de operação 0C to +85C 0C to +85C
On-Die ECC Yes (per K4RAH165VB family datasheet) —
Self Refresh Auto self-refresh —
Reset Function Asynchronous reset —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
DLL DLL enabled mode of operation (per datasheet) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Standard Packaging 1000 units —
Status RoHS Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) Compliant
Tamanho da memória — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Technology — DDR5
Maximum Data Rate (DDR5 family) — up to 7200 Mbps
On-die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Speed Grade (suffix BCWM) — [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency]
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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