K4RBH086VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCQK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH086VB-BCWM | K4RBH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 1G x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5] |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate for K4RBH speed grade (sister K4RAH086VB grade is 5600 Mbps)] | 4800 Mbps/pin |
| Interface | Parallel, DDR5 | — |
| Boîtier | 82-FBGA | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C |
| Product Status | Mass Production | — |
| Memory Format | Volatile (DRAM) | — |
| Technology | DDR5 SDRAM | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| On-Die ECC | Yes (per JEDEC DDR5 specification) | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Speed Grade | — | BCQK (4800 Mbps) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| Error Correction | — | On-chip (on-die) ECC |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)] |