K4RCH046VM-2CCM vs K4RCH046VM-2CLP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RCH046VM-2CCM par Samsung Electronics et K4RCH046VM-2CLP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RCH046VM-2CCM | K4RCH046VM-2CLP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | NRND | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $10,10 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 32 Gb |
| Organisation de la mémoire | 4G x 4 | 4G x 4 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 6400 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Température de fonctionnement | 0 to 85 C | 0C to 85C |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Sample | — |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Type d'interface | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Configuration | — | x4 component |
| Interface | — | DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) |
| Family Speed Range (Samsung DDR5) | — | up to 7200 Mbps |
| Family Density Range (Samsung DDR5) | — | 16 Gb to 32 Gb |
| Power Efficiency vs DDR4 | — | Approx. 30% greater |
| Product Status (per distributor listing) | — | Sample / Active supply via distribution |