K4RHE086VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CLP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RCH046VM-2CLP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RHE086VB-BCWM | K4RCH046VM-2CLP |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,65 | $10,10 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 32 Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 4G x 4 |
| Débit de données | 5600 Mbps | 6400 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Boîtier | 82 FBGA | 78-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR5 (JEDEC) | DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling) |
| Configuration | x8 | x4 component |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| Statut RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to 85C |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Family Speed Range (Samsung DDR5) | — | up to 7200 Mbps |
| Family Density Range (Samsung DDR5) | — | 16 Gb to 32 Gb |
| Power Efficiency vs DDR4 | — | Approx. 30% greater |
| Product Status (per distributor listing) | — | Sample / Active supply via distribution |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |