K4RHE086VP vs K4RAH086VE-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE086VP par Samsung Electronics et K4RAH086VE-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RHE086VP | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DDR5 | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,90 | $7,60 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | x8 | 2G x 8 |
| Process Node | 1a-class (D1a) | — |
| Package Type | FBGA | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Type d'interface | DDR5 (double data rate 5) | — |
| Maximum Data Rate | [DATA_NEEDED: speed bin data rate] | — |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD in V] | 1.1 V |
| On-Die ECC | Yes (DDR5 standard feature) | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: temperature range] | — |
| Marque | Samsung Electronics | — |
| Product Family | Samsung K4RHE DDR5 series | — |
| Typical Application | Server / client DRAM modules | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Débit de données | — | 5600 Mbps |
| Boîtier | — | 82-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +85C |
| Generation | — | DDR5 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Statut du cycle de vie | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |