K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF55 par Samsung Electronics et K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $1,05 |
| Type de mémoire | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel | — |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boîtier | 28-SOP | 28-SOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (TA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| Statut RoHS | unknown | Compliant |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Largeur du bus de données | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |