K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-BF70T 비교
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Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $1.05 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 256 Kbit | 256 Kbit |
| 메모리 구성 | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| 패키지 | 28-SOP | 28-SOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (TA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS 상태 | unknown | Compliant |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| 데이터 버스 폭 | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |