K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF55T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics et K6X0808C1D-GF55T par Samsung Electro-Mechanics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-GF55T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $1,85 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | Full CMOS |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | 15 bit |
| Largeur du bus de données | 8 bit (I/O0-I/O7) | 8 bit |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Organisation de la mémoire | — | 32K x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 5.0 V |
| Interface | — | Parallel |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported (per datasheet) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T suffix) |