K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF55T 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF70T メーカー: Samsung Electronics および K6X0808C1D-GF55T メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ 生産中
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-GF55T
ブランド Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ DRAM DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.05 $1.85
メモリタイプ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 256 Kbit 256 Kbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 55 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
動作温度 -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 28-SOP 28-SOP (450 mil)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS Full CMOS
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) 15 bit
データバス幅 8 bit (I/O0-I/O7) 8 bit
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
メモリ構成 — 32K x 8
電源電圧 — 5.0 V
インターフェース — Parallel
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

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