K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-BF55 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-GF70000 par Samsung Electronics et K6X0808C1D-BF55 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ ActifSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-GF70000 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,10 | $1,85 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 bit | 32K x 8 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage - Max | 5.5 V | — |
| Technology | Low Power CMOS | CMOS |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | — |
| Largeur du bus de données | 8 bit (tri-state I/O) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Input/Output Levels | TTL compatible | — |
| Boîtier | 28-SOP | 28-SOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Tension d'alimentation | — | 5 V |
| Memory Format | — | SRAM |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |