K6X1008C2D-BF70 vs K6X1008C2D-BF55 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K6X1008C2D-BF70 par Samsung Electronics et K6X1008C2D-BF55 par Samsung Electro-Mechanics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K6X1008C2D-BF70 K6X1008C2D-BF70 - 128Kx8 70ns Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF70 - 128Kx8 70ns Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF70 Nrnd
Samsung Electro-Mechanics
K6X1008C2D-BF55 K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 - 128Kx8 Low Power CMOS SRAM | Samsung

K6X1008C2D-BF55 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre K6X1008C2D-BF70 K6X1008C2D-BF55
Marque Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie NRND Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,28 $1,18
Type de mémoire Volatile SRAM (asynchronous, static) Asynchronous CMOS Static RAM (SRAM)
Memory Organization 128K x 8 (1 Mbit total) 128K x 8 bit (1 Mbit)
Number of Words 131,072 —
Bits per Word 8 —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] 5 V (single supply)
Type d'interface Parallel, asynchronous —
I/O Compatibility TTL-compatible —
Operating Mode Fully static (no clock, no refresh) —
Package Type 32-SOP-525 (PDSO32) —
Speed Grade Suffix BF70 (= 70 ns) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature grade] —
Active Supply Current (ICC) [DATA_NEEDED: ICC max] —
CMOS Standby Current (ICC2) [DATA_NEEDED: ICC2 max] —
Output Enable (OE) Pin Yes (three-state outputs) —
Write Enable (WE) Pin Yes —
Chip Enable (CE) Pin Yes —
Lead-Free Finish Yes (per datasheet revision history) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Process Technology Low-power CMOS —
Density — 1 Mbit
Operating Current (ICC) — 30 mA typical
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: standby current value]
Interface — Parallel, asynchronous
Largeur du bus de données — 8 bit
Address Bus Width — 17 bit
Boîtier — 32-SOP-525 (SOP-32)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes (Lead-Free variant)
Statut RoHS — Compliant
Cell Technology — 6T CMOS memory cell

Fiches techniques et ressources

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