K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9IUGY8J7B-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9IUGY8J7B-CCK0 par Samsung Electronics et K9IUGY8J7B-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Actif
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K9IUGY8J7B-BCK0 K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,00 $0,00
Memory Density 1 Tb (Tera bit) —
Type de mémoire NAND Flash, 3D V-NAND TLC —
Cell Type TLC (3 bits per cell) TLC (Triple-Level Cell, 3 bits/cell)
V-NAND Generation V6 (6th generation) —
Process Node / Layer Count 4448-128L (128-layer) —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Type d'interface [DATA_NEEDED: bus interface type] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC voltage] —
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] —
Largeur du bus de données [DATA_NEEDED: data bus width] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code] [DATA_NEEDED: package code / ball count]
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MPN — K9IUGY8J7B-BCK0
Product Type — V-NAND Flash (raw NAND)
Density — 1 Tbit
Technology — Samsung V-NAND (3D vertical NAND)
Speed Grade — BCK0
Interface — [DATA_NEEDED: interface type and data rate]
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: VCC range]
Organisation de la mémoire — [DATA_NEEDED: page/block organization]
Statut du cycle de vie — Active

Fiches techniques et ressources

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