K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9IUGY8J7B-BCK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K9IUGY8J7B-CCK0 от Samsung Electronics и K9IUGY8J7B-BCK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs
K9IUGY8J7B-BCK0 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K9IUGY8J7B-CCK0 | K9IUGY8J7B-BCK0 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | EEPROM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,00 | $0,00 |
| Memory Density | 1 Tb (Tera bit) | — |
| Тип памяти | NAND Flash, 3D V-NAND TLC | — |
| Cell Type | TLC (3 bits per cell) | TLC (Triple-Level Cell, 3 bits/cell) |
| V-NAND Generation | V6 (6th generation) | — |
| Process Node / Layer Count | 4448-128L (128-layer) | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Тип интерфейса | [DATA_NEEDED: bus interface type] | — |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC voltage] | — |
| Supply Voltage (VCCQ) | [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] | — |
| Разрядность шины данных | [DATA_NEEDED: data bus width] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | — |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] | [DATA_NEEDED: P/E endurance] |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Package Type | [DATA_NEEDED: exact package code] | [DATA_NEEDED: package code / ball count] |
| Тип монтажа | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MPN | — | K9IUGY8J7B-BCK0 |
| Product Type | — | V-NAND Flash (raw NAND) |
| Density | — | 1 Tbit |
| Technology | — | Samsung V-NAND (3D vertical NAND) |
| Speed Grade | — | BCK0 |
| Интерфейс | — | [DATA_NEEDED: interface type and data rate] |
| Напряжение питания | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Организация памяти | — | [DATA_NEEDED: page/block organization] |
| Статус жизненного цикла | — | Active |