K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9JUGY8J5C-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9IUGY8J7B-CCK0 par Samsung Electronics et K9JUGY8J5C-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Actif
Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9IUGY8J7B-CCK0 K9JUGY8J5C-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie EEPROM Flash
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,00 $0,00
Memory Density 1 Tb (Tera bit) —
Type de mémoire NAND Flash, 3D V-NAND TLC NAND Flash (V-NAND TLC)
Cell Type TLC (3 bits per cell) Triple-Level Cell (TLC)
V-NAND Generation V6 (6th generation) —
Process Node / Layer Count 4448-128L (128-layer) —
Manufacturer Samsung Electronics —
Type d'interface [DATA_NEEDED: bus interface type] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC voltage] [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Largeur du bus de données [DATA_NEEDED: data bus width] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code] —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Density — 1 Tb
Technology — Samsung V-NAND (3D)
Organisation de la mémoire — [DATA_NEEDED: page/block organization]
Interface — [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode]
Program Time (typ) — [DATA_NEEDED: tPROG]
Read Time (typ) — [DATA_NEEDED: tR]
Boîtier — [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code]
Endurance (P/E cycles) — [DATA_NEEDED: program/erase endurance]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention specification]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis