K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9JUGY8J5C-BCK0 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics e K9JUGY8J5C-BCK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Ativo
Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9IUGY8J7B-CCK0 K9JUGY8J5C-BCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria EEPROM Flash
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,00 $0,00
Memory Density 1 Tb (Tera bit) —
Tipo de memória NAND Flash, 3D V-NAND TLC NAND Flash (V-NAND TLC)
Cell Type TLC (3 bits per cell) Triple-Level Cell (TLC)
V-NAND Generation V6 (6th generation) —
Process Node / Layer Count 4448-128L (128-layer) —
Manufacturer Samsung Electronics —
Tipo de interface [DATA_NEEDED: bus interface type] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC voltage] [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Largura do barramento de dados [DATA_NEEDED: data bus width] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code] —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Density — 1 Tb
Technology — Samsung V-NAND (3D)
Organização da memória — [DATA_NEEDED: page/block organization]
Interface — [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode]
Program Time (typ) — [DATA_NEEDED: tPROG]
Read Time (typ) — [DATA_NEEDED: tR]
Encapsulamento — [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code]
Endurance (P/E cycles) — [DATA_NEEDED: program/erase endurance]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention specification]

Fichas técnicas e recursos

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