K9JUGY8J5C-CCK0 vs K9IUGY8J7B-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9JUGY8J5C-CCK0 par Samsung Electronics et K9IUGY8J7B-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-CCK0 K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 ✓ Actif
Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-BCK0 K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9JUGY8J5C-CCK0 K9IUGY8J7B-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $7,60 $0,00
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Type de mémoire NAND Flash - V-NAND (TLC) —
Density 1 Tb (128 GB) 1 Tbit
Cell Type TLC (Triple-Level Cell) TLC (Triple-Level Cell, 3 bits/cell)
Technology Generation V6 (6th-gen V-NAND, 128-layer) —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Interface [DATA_NEEDED: toggle/ONFI mode] [DATA_NEEDED: interface type and data rate]
Boîtier [DATA_NEEDED: BGA package code and dimensions] —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] —
Read Latency [DATA_NEEDED: tR] —
Program Time [DATA_NEEDED: tPROG] —
Endurance (P/E cycles) [DATA_NEEDED: rated P/E cycles] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
MPN — K9IUGY8J7B-BCK0
Product Type — V-NAND Flash (raw NAND)
Technology — Samsung V-NAND (3D vertical NAND)
Speed Grade — BCK0
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: VCC range]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
Statut du cycle de vie — Active

Fiches techniques et ressources

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